Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 125W |
Ucb,max | - |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Darlington, Power |
to3 | Распиновка |
---|---|