Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120mW |
Ucb,max | 105V |
Uce,max | |
Ueb,max | |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 60ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|