Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 130MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
sip | Распиновка |
---|---|