Биполярный транзистор - D10G1051

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 500mW
Ucb,max
Uce,max 15V
Ueb,max 1V
Ic,max 50mA
Ft,max 130MHz
Cctip,pF 4
Hfe 40MIN
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

n/a

Биполярные транзисторы n/a

IGBT транзисторы n/a

FET транзисторы n/a
Назначение
sip Распиновка