Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 245V |
Uce,max | 180V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 145MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 22MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|