Биполярный транзистор - D11C410
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 130MHz |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 40MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
| Назначение |
| to50 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |