Биполярный транзистор - 2N3475
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 10A |
| Ft,max | 150KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 400MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | KT897A |
| Изготовитель |
whestinghouseБиполярные транзисторы whestinghouseIGBT транзисторы whestinghouseFET транзисторы whestinghouse |
| Назначение | Darlington, Power |
| to66 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |