Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 70mA |
Ft,max | 3GHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 50T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
amsБиполярные транзисторы amsIGBT транзисторы amsFET транзисторы ams |
Назначение | Low Power, Switching |
to131 | Распиновка |
---|---|