Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 7GHz |
Cctip,pF | 1.5 |
Hfe | 100T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
amsБиполярные транзисторы amsIGBT транзисторы amsFET транзисторы ams |
Назначение | Low Power, Switching, Low Noise |
to131 | Распиновка |
---|---|