Биполярный транзистор - DT1003
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 200V |
| Uce,max | 200V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 300mA |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 36MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
| Назначение |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |