Биполярный транзистор - DT1111
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 5W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 500KHz |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 20/60 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
| Назначение |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |