Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 20 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
elantecБиполярные транзисторы elantecIGBT транзисторы elantecFET транзисторы elantec |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to39 | Распиновка |
---|---|