Биполярный транзистор - E20124
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 130W |
| Ucb,max | 50V |
| Uce,max | 50V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 7.8A |
| Ft,max | 1.4GHz |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 20/120 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
ericssonБиполярные транзисторы ericssonIGBT транзисторы ericssonFET транзисторы ericsson |
| Назначение |
| 20209 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |