Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200W |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 860MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 40T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ericssonБиполярные транзисторы ericssonIGBT транзисторы ericssonFET транзисторы ericsson |
Назначение |
m169 | Распиновка |
---|---|