Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 330W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 25A |
Ft,max | 470MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ericssonБиполярные транзисторы ericssonIGBT транзисторы ericssonFET транзисторы ericsson |
Назначение |
20224 | Распиновка |
---|---|