Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 250MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
elantecБиполярные транзисторы elantecIGBT транзисторы elantecFET транзисторы elantec |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|