Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | 1.2 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF506 |
Изготовитель |
elantecБиполярные транзисторы elantecIGBT транзисторы elantecFET транзисторы elantec |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|