Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 85W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 12/60 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | KT819GM |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to53 | Распиновка |
---|---|