Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 90W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BD911 2N6488 MJE3055T |
Изготовитель |
ecgБиполярные транзисторы ecgIGBT транзисторы ecgFET транзисторы ecg |
Назначение |
to220 | Распиновка |
---|---|