Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 3.5A |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60/180 |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | 2N2667 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|