Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 36mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 800KHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 51MIN |
Tj,max | 60ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ebaushes*Биполярные транзисторы ebaushes*IGBT транзисторы ebaushes*FET транзисторы ebaushes* |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|