Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 500MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 71MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
micro-t | Распиновка |
---|---|