Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 450MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
m-t | Распиновка |
---|---|