Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 12V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | |
Ic,max | |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 75MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
macro-t | Распиновка |
---|---|