Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | |
Ic,max | |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
micro-t | Распиновка |
---|---|