Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | |
Ic,max | |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 75MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
micro-t | Распиновка |
---|---|