Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 175mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 270MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение |
micro-t | Распиновка |
---|---|