Биполярный транзистор - 2N1066
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 120mW |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 4 |
| Hfe | 20/175 |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | AF124 2N990 |
| Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to33-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |