Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 1100T |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
fine product*Биполярные транзисторы fine product*IGBT транзисторы fine product*FET транзисторы fine product* |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|