Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 170MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
fine product*Биполярные транзисторы fine product*IGBT транзисторы fine product*FET транзисторы fine product* |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|