Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 180MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 200MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
fine product*Биполярные транзисторы fine product*IGBT транзисторы fine product*FET транзисторы fine product* |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|