Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 750mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 20 |
Hfe | 160MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
fine product*Биполярные транзисторы fine product*IGBT транзисторы fine product*FET транзисторы fine product* |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|