Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 60/150 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSX59 2N3444 2SC501 2SC960 KT635B |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | VHF, Medium Power, Switching |
to5 | Распиновка |
---|---|