Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 700KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 110ºC |
Аналоги | AL100 2N2147 |
Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|