Биполярный транзистор - 2N1074
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 250mW |
| Ucb,max | 50V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 200KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 9/44 |
| Tj,max | 160ºC |
| Аналоги | BC167 2N4287 P307 |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to9 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |