Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 200KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 9/44 |
Tj,max | 160ºC |
Аналоги | BC167 2N4287 P307 |
Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to9 | Распиновка |
---|---|