Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 360MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 30/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BCW36 KT3102E |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение |
to92 | Распиновка |
---|---|