Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 30/120 |
Tj,max | - |
Аналоги | BSS10 2N2368 KT3107E |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
to5 | Распиновка |
---|---|