Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 1GHz |
Cctip,pF | 1.7 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFT15 KT659A |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | UHF, Low Power |
to50-2 | Распиновка |
---|---|