Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 25W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 7A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | 40 |
Hfe | 2000T |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | KT899A |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Darlington, Power |
x55-3 | Распиновка |
---|---|