Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | |
Ic,max | |
Ft,max | 1GHz |
Cctip,pF | 1 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
microwaveБиполярные транзисторы microwaveIGBT транзисторы microwaveFET транзисторы microwave |
Назначение |
to50 | Распиновка |
---|---|