Биполярный транзистор - K2104
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | |
| Ic,max | |
| Ft,max | 1GHz |
| Cctip,pF | 1 |
| Hfe | 30MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
microwaveБиполярные транзисторы microwaveIGBT транзисторы microwaveFET транзисторы microwave |
| Назначение |
| to50 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |