Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
kecБиполярные транзисторы kecIGBT транзисторы kecFET транзисторы kec |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|