Биполярный транзистор - 2N3876
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 125W |
| Ucb,max | 140V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 20A |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 1n |
| Hfe | 25/150 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | 2N6249 |
| Изготовитель |
trwБиполярные транзисторы trwIGBT транзисторы trwFET транзисторы trw |
| Назначение | RF, Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |