Биполярный транзистор - 2N1100
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 65V |
| Ic,max | 15A |
| Ft,max | 150KHZ |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 25/50 |
| Tj,max | 95ºC |
| Аналоги | 2N1099 SFT265 SFT267 SFT268 |
| Изготовитель |
delБиполярные транзисторы delIGBT транзисторы delFET транзисторы del |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| to36 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |