Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 90/330 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC212L 2N4059 KT3107G SC257 SC257A SC257VI SC258 SC258A SC258B SC258VI |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|