Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 65W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/120 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BUX12 2N6341 KT812B |
Изготовитель |
trwБиполярные транзисторы trwIGBT транзисторы trwFET транзисторы trw |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|