Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 90MHz |
Cctip,pF | 4.5 |
Hfe | 400MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N2483 KT315R |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|