Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 15V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N2432 KT201V |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to46 | Распиновка |
---|---|