Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 600MHz |
Cctip,pF | 0.4 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BF366 2N4252 KT316GM |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | UHF, Low Power |
to92 | Распиновка |
---|---|